原料:サンゴバンから、高い純度の窒化珪素輸入される、炭化ケイ素の粉炭化ケイ素(SiC)
使用法:半導体、摩耗抵抗材料の、高温および反酸の炉
働く温度:1380℃
材料:炭化ケイ素
形:管
タイプ:処理し難い陶磁器
材料:Rbsic
サイズ:55x40,40x28
鋳造物方法:放出
材料:SiSiC
サイズ:顧客の必要性によって
鋳造物方法:スリップ鋳造
材料:SiSiC
サイズ:顧客の必要性によって
鋳造物方法:スリップ鋳造
材料:反作用の担保付きの炭化ケイ素
サイズ:顧客の必要性によって
鋳造物方法:スリップ鋳造
材料:反作用の担保付きの炭化ケイ素
温度の限界:>1380℃
密度:>3.02g/cm3
材料:炭化ケイ素
適用:スプレー ノズル
注入の角度:90°/120°
材料:Sisicの文書
サイズ:40x40,40x50,50x60ect
鋳造物方法:放出
材料:炭化ケイ素
温度:1380
注入の角度:90°/120°
原料:サンゴバンから、高い純度の窒化珪素輸入される、炭化ケイ素の粉炭化ケイ素(SiC)
使用法:脱硫します、不用なガス クリーニング
働く温度:1550℃
原料:サンゴバンから、高い純度の窒化珪素輸入される、炭化ケイ素の粉炭化ケイ素(SiC)
使用法:脱硫します、不用なガス クリーニング
働く温度:1550℃